科眾陶瓷廠之前帶大家了解了什么是氮化鋁陶瓷片，不知道大家是否清楚了一些呢，接下來讓我們一起了解下氮化鋁陶瓷片有什么優(yōu)勢呢？
氮化鋁陶瓷片的優(yōu)勢：
氮化鋁陶瓷片的優(yōu)勢：
1、氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2、氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
3、氮化鋁陶瓷片硬度高,超過傳統(tǒng)陶瓷,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價(jià)高,只能用于磨損嚴(yán)重的部位.
4、利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件，利用其光學(xué)性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。
5、氮化鋁電子陶瓷片耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對(duì)酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜。 陶瓷注塑利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。
氮化鋁陶瓷片
氮化鋁半導(dǎo)體陶瓷片性能指標(biāo)：
(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；
(4)機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；
(5)光傳輸特性好；
(6)無毒；
由于具有優(yōu)良的熱、電、力學(xué)性能。氮化鋁陶瓷引起了國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領(lǐng)域獲得更為廣泛的應(yīng)用！科眾陶瓷廠作為工業(yè)陶瓷廠家可按客戶圖紙定制多種尺寸多種材料不僅僅是氮化鋁材料的陶瓷片。
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本文“氮化鋁陶瓷片的優(yōu)勢介紹你所不知道的(圖）”由科眾陶瓷編輯整理，修訂時(shí)間：2020-10-31 14:38:54
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